采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2785，"05+"：81180}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4153NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.82nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@16V
连续漏极电流：915mA
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4001NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@100µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@5V
连续漏极电流：238mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@10mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN26D0UT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14.1pF@15V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
