采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME820NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：288000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2020UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：610mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：21.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1788pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：336000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIB422EDK-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€13W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB10XNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2175pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
