采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA2N028Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA2N028Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2A03E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：700mV@250µA
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@7.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSR802NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：750mV@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.7nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1447pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@3.7A，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDFMA2N028Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
