品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7456TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:62nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3640pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":62500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1632}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6570A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1894,"22+":5570,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1098pF@15V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7401TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:48nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:6.7nC@10V
连续漏极电流:22A
输入电容:419pF@10V
阈值电压:1.9V@250µA
导通电阻:15mΩ@5A,10V
功率:2.5W
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:6.7nC@10V
连续漏极电流:22A
输入电容:419pF@10V
阈值电压:1.9V@250µA
导通电阻:15mΩ@5A,10V
功率:2.5W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":62500}
规格型号(MPN):NDS8425
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7.4A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@7.4A,4.5V
功率:2.5W
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:1098pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD15571Q2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:6.7nC@10V
连续漏极电流:22A
输入电容:419pF@10V
阈值电压:1.9V@250µA
导通电阻:15mΩ@5A,10V
功率:2.5W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: