采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：274pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：274pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：5.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：274pF@50V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10TF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4210GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：859pF@50V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@2.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN10A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT7N10LTF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@850mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2110GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
