采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL45N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3470pF@100V
连续漏极电流：3.8A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：86mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB43N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@100V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB43N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@100V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@21A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
功率：100W
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL12N65M5
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4.25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
