采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
功率：100W
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
功率：83W
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：360mΩ@5A，10V
类型：N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4.5V@1mA
输入电容：730pF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：142}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD360N65S3R0
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@400V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
