销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:650V
连续漏极电流:8A
导通电阻:500mΩ@4A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:85W
栅极电荷:16.5nC@10V
输入电容:535pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
导通电阻:420mΩ@5A,10V
输入电容:614pF@100V
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N60DM2
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
导通电阻:420mΩ@5A,10V
输入电容:614pF@100V
栅极电荷:16.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: