采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：258}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：258}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
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连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
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连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
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输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP28N65EF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：146nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3249pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
阈值电压：4.75V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
导通电阻：115mΩ@10A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：223W
栅极电荷：46nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：28A
导通电阻：110mΩ@14A，10V
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：210W
输入电容：2400pF@100V
栅极电荷：54nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB35N65DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：210W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@14A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30N65DM6AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：258}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMZA65R072M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：96W
阈值电压：5.7V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@18V
包装方式：管件
输入电容：744pF@400V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@13.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STH30N65DM6-7AG
工作温度：-55℃~150℃
功率：223W
阈值电压：4.75V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@100V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：115mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
