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    类型: N沟道
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 3V@250µA
    当前匹配商品:1400+
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    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订78个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:78
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订30000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1000个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订26个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA7002H_R1_00001 起订26个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA7002H_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订250个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

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    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订123个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订123个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订150个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订150个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1050个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订1050个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订100个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订100个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订500个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订25个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订25个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订10个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订5个装
    UMW Mosfet场效应管 SI2310A 起订5个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.38W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6140LQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6140LQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:140mΩ@1.8A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8.6nC@10V

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:2.3A

    输入电容:315pF@40V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:606pF@20V

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:60V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6068SE-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6068SE-13

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:10.3nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:4.1A

    输入电容:502pF@30V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    功率:2W

    导通电阻:68mΩ@12A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A07FTA 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A07FTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N-Channel

    输入电容:166pF@40V

    漏源电压:60V

    导通电阻:250mΩ@1.8A,10V

    功率:625mW

    栅极电荷:3.2nC@10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86570L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86570L

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    连续漏极电流:18A€56A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:88nC@10V

    功率:2.3W€54W

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    输入电容:6705pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVT-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVT-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3458BDV-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3458BDV-T1-GE3

    功率:2W€3.3W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:4.1A

    输入电容:350pF@30V

    栅极电荷:11nC@10V

    导通电阻:100mΩ@3.2A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6016LFDF-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6016LFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.9A

    功率:820mW

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SVTQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SVTQ-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    功率:1.2W

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    输入电容:1287pF@25V

    导通电阻:44mΩ@4.3A,10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:22.4nC@10V

    功率:42W

    输入电容:1287pF@25V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5630 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5630

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@1.7A,10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:10nC@10V

    功率:500mW

    输入电容:400pF@15V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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