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    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:13.5Ω

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU014PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU014PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRLU014PBF

    栅极电荷:8.4nC@5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:400pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:7.7A

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    功率:2.5W€25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002W 起订8个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002W 起订8个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.6Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:24.5pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:280mW

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    连续漏极电流:310mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    栅极电荷:8.4nC@5V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:200mΩ@1.6A,5V

    输入电容:400pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2W€3.1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU024PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLU024PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLU024PBF

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:870pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:14A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    功率:430mW

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:10.8A

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订1250个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LPS-13 起订1250个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LPS-13

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:2.3W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:10.6A€87A

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订34个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8L-7 起订34个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8L-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:370mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    连续漏极电流:310mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002AQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002AQ-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    功率:370mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LT-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.08W€19.2W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11A€34A

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7B

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:430mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    栅极电荷:41.3nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:2090pF@30V

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:15A€80A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订87个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2310-TP 起订87个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2310-TP

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:247pF@30V

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LSS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LSS-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:10.8A

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2755,"22+":17983}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    功率:4.1W€166W

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:35A€224A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LT-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LT-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:115mA

    功率:200mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6009LFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6009LFG-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:2.08W€19.2W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:11A€34A

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LW-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LW-7

    连续漏极电流:300mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    输入电容:22pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:300mW

    栅极电荷:0.87nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002W 起订100个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002W 起订100个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.6Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:24.5pF@20V

    阈值电压:2V@250µA

    功率:280mW

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    连续漏极电流:310mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:260mA

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    类型:N沟道

    功率:430mW

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-TP

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:200mW

    输入电容:50pF@25V

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:115mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订525个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订525个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024PBF

    栅极电荷:18nC@5V

    输入电容:870pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:管件

    连续漏极电流:14A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002A-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002A-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002A-7

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:23pF@25V

    功率:370mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:6Ω@115mA,5V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:180mA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:35A€224A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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