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    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8350pF@30V

    连续漏极电流:295A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS106DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€24W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€139W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€139W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014TRLPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR024PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订4000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5690 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5690

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1110pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR020TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR020TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA106DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:10A€12A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS5672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS5672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS5672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SCT 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SCT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€113W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.65mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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