品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB66616L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2870pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:38.5A€140A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42.8A€100A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:5130pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:102nC@10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:20.7A€73A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:5W€62.5W
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42.8A€100A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:5130pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:102nC@10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB66616L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2870pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:38.5A€140A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS66641
连续漏极电流:47A€275A
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5300pF@30V
漏源电压:60V
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
功率:6.2W€208W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):AOB66616L
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:8.3W€125W
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2870pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:38.5A€140A
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
阈值电压:3.4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1490pF@30V
栅极电荷:32nC@10V
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:42.8A€100A
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:5130pF@30V
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
功率:6.25W€125W
栅极电荷:102nC@10V
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:73A
类型:N-Channel
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF66616L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€30W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@30V
连续漏极电流:38A€72.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@30V
连续漏极电流:17.4A€65.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:78nC@7.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5130pF@30V
连续漏极电流:42.8A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: