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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD180N60E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD180N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:195mΩ@9,5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA120N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA120N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1562pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F 起订150个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:360nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14365pF@100V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG080N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH041N60F-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH041N60F-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:595W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:347nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10900pF@25V

    连续漏极电流:76A

    类型:N沟道

    导通电阻:41mΩ@38A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG018N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG018N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:524W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:228nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7612pF@100V

    连续漏极电流:99A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCA20N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCA20N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:98nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3080pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:139nC@10V

    输入电容:5950pF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF068N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF068N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2628pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:68mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2954pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD186N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1118pF@100V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:201mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STF28N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF28N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1500pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP125N60EF-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP125N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1533pF@100V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STP43N60DM2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP43N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@100V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STF24N60DM2 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N60NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N60NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1676pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP24N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP24N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP24N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1055pF@100V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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