采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：11490，"10+"：2950，"11+"：18000，"12+"：9000，"14+"：942，"9999"：500，"MI+"：13000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP5NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：90W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：690pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.6Ω@2.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：45500，"13+"：33100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：821100，"15+"：800，"16+"：4500，"9999"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：821100，"15+"：800，"16+"：4500，"9999"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：35949，"12+"：29297，"13+"：13783，"14+"：33100，"15+"：1649，"16+"：5000，"17+"：150，"18+"：16000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：35949，"12+"：29297，"13+"：13783，"14+"：33100，"15+"：1649，"16+"：5000，"17+"：150，"18+"：16000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N60ZH
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：25185，"12+"：3000，"13+"：675，"14+"：326825，"15+"：75，"18+"：13350，"9999"：75}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD02N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD4NK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP2NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：管件
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：8Ω@700mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：52512，"13+"：112493，"MI+"：19350}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF02N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：24W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：管件
输入电容：274pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：1500，"11+"：75，"14+"：40597，"16+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD03N60Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：61W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：312pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD2HNK60Z-1
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.8Ω@1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF03N60ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：27W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：372pF@25V
连续漏极电流：3.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP3NK60Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：311pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
