采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60CFT
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：6.26A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：595，"13+"：42512}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60C
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.75A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60CFT
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：6.26A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500，"12+"：300，"9999"：221}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60CFT
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
连续漏极电流：6.26A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@3.13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF8N60CFT
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
类型：N沟道
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：1255pF@25V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@3.13A，10V
连续漏极电流：6.26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：R6009KNX
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
类型：N沟道
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
漏源电压：600V
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500，"12+"：300，"9999"：221}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：500，"12+"：300，"9999"：221}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R750E6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：373pF@100V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNX
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
