采购热线 400-661-9010
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N380CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：981pF@100V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@3.3A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM70N600CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：743pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70R
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD600A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@100V
连续漏极电流：8.5A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@2.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD360A70
工作温度：-55℃~150℃
功率：138W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@6A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
