品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2300-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:482pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.8W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL10N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":67500,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD04N60C3BTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.9V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R1K2P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI6N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:255pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI840GLCPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2817,"18+":487048,"9999":35}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS65R950C6AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:328pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@1.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K2P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF830SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€74W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:610pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@2.7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL606SNH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.3V@15µA
栅极电荷:5.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:657pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6975,"9999":1425}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R1K2P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:3.5V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP80R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:3.5V@80µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:300pF@500V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@1.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2290
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@50V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":1120,"10+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2316BDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€1.66W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: