采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN100-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：5.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4081，"14+"：4000，"9999"：267}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296L6433HTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：1.8V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4081，"14+"：4000，"9999"：267}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP296L6433HTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.79W
阈值电压：1.8V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：364pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV280ENEAR
工作温度：-55℃~150℃
功率：580mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMT560ENEAX
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：112pF@50V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：715mΩ@1.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMXB360ENEAZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW€6.25W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@40V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@1.1A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
