品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF9N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF9N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF9N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8980,"15+":500,"16+":29645,"19+":125,"20+":2000,"22+":2000,"9999":298,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM9ND50CI
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:24.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1116pF@50V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":737,"15+":487,"17+":4000,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":737,"15+":487,"17+":4000,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF9N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1042pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":405,"22+":243}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
输入电容:1030pF@25V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A
功率:44W
栅极电荷:35nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":737,"15+":487,"17+":4000,"MI+":500}
规格型号(MPN):IPA50R399CPXKSA1
功率:83W
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
类型:N沟道
栅极电荷:23nC@10V
阈值电压:3.5V@330µA
包装方式:管件
连续漏极电流:9A
ECCN:EAR99
输入电容:890pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF9N50
漏源电压:500V
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:9A
输入电容:1042pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8980,"15+":500,"16+":29645,"19+":125,"20+":2000,"22+":2000,"9999":298,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":405,"22+":243}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8980,"15+":500,"16+":29645,"19+":125,"20+":2000,"22+":2000,"9999":298,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":8980,"15+":500,"16+":29645,"19+":125,"20+":2000,"22+":2000,"9999":298,"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP50R399CPXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:890pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:399mΩ@4.9A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: