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    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075SQ-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075SQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTL2N470 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTL2N470 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTL2N470

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:220W

    阈值电压:6V@250µA

    栅极电荷:180nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6860pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:20Ω@1A,10V

    漏源电压:4700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD3LN80K5 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3LN80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:2.63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:102pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.25Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-13 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2NB60CH C5G 起订3个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2NB60CH C5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:44W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:249pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT4N50NZU 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT4N50NZU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:9.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300U-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3300U-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3300U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:193pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRLPBF 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRLPBF 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF2N80K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF2N80K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF2N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:95pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN95R3K7P7ATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN95R3K7P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN327N 起订7个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN327N 起订7个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN327N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    输入电容:423pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2N80K5 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STD2N80K5 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2N80K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:95pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU95R3K7P7AKMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU95R3K7P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:196pF@400V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7Ω@800mA,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF710PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF710PBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:170pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP2N100P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP2N100P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:86W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:655pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD3400N80Z 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD3400N80Z 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD3400N80Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2HNK60Z 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD2HNK60Z 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2HNK60Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6075S-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6075S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:606pF@20V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2N95K5 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STD2N95K5 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@1A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD2HNK60Z-1 起订75个装
    ST Mosfet场效应管 STD2HNK60Z-1 起订75个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD2HNK60Z-1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:45W

    阈值电压:4.5V@50µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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