采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS169H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@50µA
栅极电荷：2.8nC@7V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：68pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AKW，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：220mW€1.06W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002H-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：370mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123Q-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2470K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：42Ω@100mA，0V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP324H6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.3V@94µA
栅极电荷：5.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：154pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@170mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
