采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：59.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1311pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1273pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：3.1W€130W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：3.1W€130W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：6410pF@30V
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：77mΩ@12A，10V
输入电容：765pF@75V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640PBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：3.1W€130W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：6410pF@30V
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640PBF-BE3
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：125W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP24N60M2
导通电阻：190mΩ@9A，10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：29nC@10V
类型：N沟道
功率：150W
包装方式：管件
输入电容：1060pF@100V
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD770N15A
包装方式：卷带（TR）
功率：56.8W
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：150V
导通电阻：77mΩ@12A，10V
输入电容：765pF@75V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB190CZ C0G
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
功率：33.8W
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@6A，10V
输入电容：1273pF@100V
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640PBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：3.1W€130W
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
ECCN：EAR99
输入电容：6410pF@30V
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：IRF640PBF
栅极电荷：70nC@10V
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：1300pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB24N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@100V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
