采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
功率：430mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
栅极电荷：2.8nC@10V
类型：N沟道
功率：660mW
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
输入电容：150pF@5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：3.5nC@4V
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
输入电容：400pF@10V
功率：430mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6QTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08E6TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2065UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：430mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UK-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8806DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2302UKQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：130pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1352
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
