品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:带盒(TB)
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2025UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:486pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UWQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0124A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:85pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:N沟道
导通电阻:16Ω@250mA,10V
漏源电压:240V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3051L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@5V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2110ASTZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:75pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3300U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:193pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:23.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:995pF@6V
连续漏极电流:12.2A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4210A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN4206A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:100pF@25V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6140L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@40V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN2106A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:散装
输入电容:75pF@18V
连续漏极电流:450mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZVN0545A
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:散装
输入电容:70pF@25V
连续漏极电流:90mA
类型:N沟道
导通电阻:50Ω@100mA,10V
漏源电压:450V
包装清单:商品主体 * 1
库存: