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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    功率: 210W
    当前匹配商品:50+
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    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STHU36N60DM6AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STHU36N60DM6AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STHU36N60DM6AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订500个装
    ST Mosfet场效应管 STP35N60DM2 起订500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":316}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STB37N60DM2AG 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB37N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STP45N60DM6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP45N60DM6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1920pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB35N65DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB35N65DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA27N25 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":316}

    规格型号(MPN):FQA27N25

    栅极电荷:65nC@10V

    输入电容:2450pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    导通电阻:110mΩ@13.5A,10V

    包装方式:管件

    功率:210W

    连续漏极电流:27A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STW35N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW35N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:210W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:54nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@100V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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