品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
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漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2247pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.65mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
输入电容:2557pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:78A
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
功率:39W
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@15V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: