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    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.5V@70µA

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K8CEAKMA1 起订1034个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R2K8CEAKMA1 起订1034个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":999,"19+":13500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R2K8CEAKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA17N80C3 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA17N80C3 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA17N80C3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:177nC@10V

    输入电容:2320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@11A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50R1K4CEAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50R1K4CEAUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.5V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:178pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@900mA,13V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订354个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订354个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":10,"20+":4940,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订417个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订417个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":995,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1170pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50UT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50UT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":995}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50UT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1130pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05Ω@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订7500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN10H170SK3-13 起订7500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN10H170SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1167pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N50T 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF12N50T 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF12N50T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1315pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA17N80C3 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA17N80C3 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA17N80C3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@1mA

    栅极电荷:177nC@10V

    输入电容:2320pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@11A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订1050个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024PBF 起订1050个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR024PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:870pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT34M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2242pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN6040SK3-13 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN6040SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1287pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT69M8LFV-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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