品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC020N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7200pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3500
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4765pF@40V
连续漏极电流:9.2A€49A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@11.5A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86250
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@75V
连续漏极电流:6.7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3338,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4300pF@20V
连续漏极电流:32A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86540
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6435pF@30V
连续漏极电流:20A€50A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0300S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8705pF@15V
连续漏极电流:31A€49A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4700pF@12V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.3V@61µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@50V
连续漏极电流:16A€97A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4700pF@12V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC010NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:4700pF@12V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014N04LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:31A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7556S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8965pF@13V
连续漏极电流:35A€49A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@35A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC011N03LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@15V
连续漏极电流:37A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86310
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@40V
连续漏极电流:17A€50A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@17A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC009NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5800pF@12V
连续漏极电流:41A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: