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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    行业应用: 汽车
    阈值电压: 1.1V@250µA
    当前匹配商品:500+
    商品信息
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    操作
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKVL 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订47个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订47个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBK,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€1.14W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:230mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3139KEA-TP 起订12个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3139KEA-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.86nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@16V

    连续漏极电流:600mA

    类型:P沟道

    导通电阻:850mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25213W10 起订8个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25213W10

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:2.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478pF@10V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2444pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2022LSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2022LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:56.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2444pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5471DC-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5471DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.3W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订200个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订200个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订18个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订18个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订30000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订30000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@15V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订21000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订21000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@15V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2038USS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2038USS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1496pF@15V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2066UFDE-7 起订18000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2066UFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:14.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@10V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23382F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23382F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.35nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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