采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8429DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€6.25W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@4V
连续漏极电流：11.7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1100UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：670mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@6V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：83mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：3662，"09+"：15000，"10+"：55476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDEQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2953pF@4V
连续漏极电流：9.1A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8429DB-T1-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€6.25W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@4V
连续漏极电流：11.7A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8483DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@6V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8483DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.77W€13W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1840pF@6V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3139K-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：170pF@16V
连续漏极电流：660mA
类型：P沟道
导通电阻：950mΩ@500mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427ADJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1022UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：48.3nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：P沟道
导通电阻：15.3mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA427DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@4V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2329DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1485pF@4V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.3A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1499DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€2.78W
阈值电压：800mV@250µA
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@4V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS2103PTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1157pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
