采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTQ36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM085P03CV RGG
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3234pF@15V
连续漏极电流：64A
类型：P沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4177PR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：840mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@24V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP36P15P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4485
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@20V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
