品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435FDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:12.6A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1500pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:19mΩ@9A,10V
功率:4.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
功率:57W
输入电容:4660pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
栅极电荷:25.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
连续漏极电流:12.7A€18.3A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
连续漏极电流:12.7A€18.3A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
栅极电荷:19.5nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
栅极电荷:19.5nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
功率:57W
输入电容:4660pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA483DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:1550pF@15V
ECCN:EAR99
导通电阻:21mΩ@5A,10V
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435FDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:12.6A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1500pF@15V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:19mΩ@9A,10V
功率:4.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
栅极电荷:19.5nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
栅极电荷:25.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:4.9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:3.7W€52W
输入电容:3490pF@15V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
连续漏极电流:22.4A€60A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483DDV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:31.2mΩ@5A,10V
输入电容:580pF@15V
功率:2W€3W
栅极电荷:14.5nC@10V
连续漏极电流:6.4A€8A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4447DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:14nC@4.5V
输入电容:805pF@20V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.1W
导通电阻:72mΩ@4.5A,15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
功率:57W
输入电容:4660pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
连续漏极电流:12.7A€18.3A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:4930pF@15V
连续漏极电流:29.4A€108A
功率:5W€65.7W
栅极电荷:115nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
功率:57W
输入电容:4660pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:55nC@4.5V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.2nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
功率:1.3W€2.5W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
栅极电荷:19.5nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:27mΩ@5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425FDY-T1-GE3
连续漏极电流:12.7A€18.3A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1620pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€4.8W
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: