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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    阈值电压: 2.3V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:500+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS65DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS65DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:25.9A€94A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14300pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7463ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4150pF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4401FDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4401FDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@20V

    连续漏极电流:9.9A€14A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订13个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21321 起订13个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21357 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21357

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€30W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2830pF@15V

    连续漏极电流:21A€34A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4370pF@20V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7155DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7155DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12900pF@20V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订12个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTR0202PLT1G 起订12个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订38个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订38个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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