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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA24P085T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€4.8W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.7A€18.3A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3017SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA24P085T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA24P085T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA24P085T
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2090pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@12A，10V
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
