采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：2741}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7431DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：174mΩ@3.8A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1508
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：750，"09+"：18000，"10+"：30000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441BT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：30000，"06+"：2633，"07+"：1939，"08+"：49666，"09+"：235413，"10+"：105000，"11+"：30000，"13+"：30000，"14+"：54000，"MI+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：606，"22+"：21000，"23+"：57000，"24+"：358}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4P02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23202W10
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：512pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：53mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86267P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：255mΩ@2.2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3443T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：565pF@5V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4171PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：480mW
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
