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    类型: P沟道
    漏源电压: 30V
    功率: 1.5W
    当前匹配商品:200+
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    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3407-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3407-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@15V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4413ADY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:95nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4413ADY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4413ADY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:95nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.5mΩ@13A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3007LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3007LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2826pF@15V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订12500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4431BDY-T1-E3 起订12500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4431BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4427BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4427BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@12.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6415DQ-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435BDY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4435BDY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:06+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@9.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP34M4SPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP34M4SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:127nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3775pF@15V

    连续漏极电流:135A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7421DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@9.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4425BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@11.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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