品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.1A€1.4A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P-Channel
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
导通电阻:90mΩ
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
栅极电荷:13nC@10V
连续漏极电流:2A€8.4A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
导通电阻:295mΩ@-4A,-10V
漏源电压:-150V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-2.8A
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86261P
包装方式:卷带(TR)
功率:2.3W€40W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.7A€9A
导通电阻:160mΩ@2.4A,10V
漏源电压:150V
输入电容:1360pF@75V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:125mΩ@10A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:719pF@75V
功率:5.1W€65.8W
连续漏极电流:4.4A€16.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:3.1W€5.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86267P
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:255mΩ@2.2A,10V
类型:P沟道
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.2A
输入电容:1130pF@75V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
导通电阻:125mΩ@10A,10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:719pF@75V
功率:5.1W€65.8W
连续漏极电流:4.4A€16.2A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:19nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
输入电容:510pF@50V
功率:2W€3.2W
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
导通电阻:295mΩ@-4A,-10V
漏源电压:-150V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-2.8A
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.9W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
漏源电压:150V
类型:P沟道
输入电容:1805pF@75V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:48nC@10V
连续漏极电流:37A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2A
漏源电压:150V
栅极电荷:42nC@10V
导通电阻:295mΩ@4A,10V
输入电容:1190pF@50V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
功率:5.9W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86265P
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
漏源电压:150V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:1A
导通电阻:1.2Ω@1A,10V
ECCN:EAR99
输入电容:210pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:750mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P-Channel
导通电阻:90mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P-Channel
导通电阻:90mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.9W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:-2.8A
类型:P-Channel
导通电阻:295mΩ@-4A,-10V
漏源电压:-150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:750mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P-Channel
导通电阻:90mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: