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    类型: P沟道
    漏源电压: 150V
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86265P

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A

    导通电阻:1.2Ω@1A,10V

    输入电容:210pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A€1.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86265P

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A

    导通电阻:1.2Ω@1A,10V

    输入电容:210pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    导通电阻:90mΩ

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86262P

    栅极电荷:13nC@10V

    连续漏极电流:2A€8.4A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:885pF@75V

    功率:2.3W€40W

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:307mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    导通电阻:295mΩ@-4A,-10V

    漏源电压:-150V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-2.8A

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86261P 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86261P 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86261P

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.3W€40W

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.7A€9A

    导通电阻:160mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    输入电容:1360pF@75V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:719pF@75V

    功率:5.1W€65.8W

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.1W€5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86267P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86267P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86267P

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    导通电阻:255mΩ@2.2A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:16nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:1130pF@75V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:719pF@75V

    功率:5.1W€65.8W

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    导通电阻:295mΩ@-4A,-10V

    漏源电压:-150V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-2.8A

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    输入电容:1805pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:48nC@10V

    连续漏极电流:37A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:5.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA86265P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA86265P

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:1A

    导通电阻:1.2Ω@1A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:210pF@75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:750mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86263P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86263P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3905pF@75V

    连续漏极电流:4.4A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:53mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-2.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:295mΩ@-4A,-10V

    漏源电压:-150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:750mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@75V

    连续漏极电流:37A

    类型:P沟道

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:2
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