品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
阈值电压:4.5V@250µA
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.8nC@10V
漏源电压:150V
连续漏极电流:2.8A
输入电容:365pF@75V
类型:P沟道
功率:3.2W€19.8W
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
功率:15.6W
类型:P沟道
连续漏极电流:1.6A
栅极电荷:6.3nC@10V
输入电容:155pF@75V
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:2.17A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:530mA
漏源电压:150V
栅极电荷:12nC@10V
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
输入电容:510pF@25V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
栅极电荷:55nC@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
包装方式:管件
功率:300W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P-Channel
导通电阻:1.2Ω
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€12.5W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:2.17A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA36P15P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:110mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:530mA
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@75V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:2.6Ω@500mA,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP15P15T
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3650pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:240mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: