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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    漏源电压: 150V
    当前匹配商品:300+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-E3

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.17A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-BE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A€1.4A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    导通电阻:90mΩ

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    导通电阻:295mΩ@-4A,-10V

    漏源电压:-150V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-2.8A

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1411DH-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1411DH-T1-GE3

    连续漏极电流:420mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    栅极电荷:6.3nC@10V

    功率:1W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:2.17A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:9.8nC@10V

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:2.8A

    输入电容:365pF@75V

    类型:P沟道

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:719pF@75V

    功率:5.1W€65.8W

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-E3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:2.8A

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:3.1W€5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS73DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS73DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    导通电阻:125mΩ@10A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:719pF@75V

    功率:5.1W€65.8W

    连续漏极电流:4.4A€16.2A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-E3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    功率:750mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7317DN-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:9.8nC@10V

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:2.8A

    输入电容:365pF@75V

    类型:P沟道

    功率:3.2W€19.8W

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA485DJ-T1-GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA485DJ-T1-GE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    功率:15.6W

    类型:P沟道

    连续漏极电流:1.6A

    栅极电荷:6.3nC@10V

    输入电容:155pF@75V

    导通电阻:2.6Ω@500mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:750mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:150V

    栅极电荷:19nC@10V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:510pF@50V

    功率:2W€3.2W

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    导通电阻:295mΩ@-4A,-10V

    漏源电压:-150V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:-2.8A

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.9W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:2.17A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:90mΩ@5.2A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:150V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR873DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    漏源电压:150V

    类型:P沟道

    输入电容:1805pF@75V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:47.5mΩ@10A,10V

    栅极电荷:48nC@10V

    连续漏极电流:37A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4455DY-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4455DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2A

    漏源电压:150V

    栅极电荷:42nC@10V

    导通电阻:295mΩ@4A,10V

    输入电容:1190pF@50V

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    功率:5.9W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    阈值电压:4.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    漏源电压:150V

    栅极电荷:12nC@10V

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    输入电容:510pF@25V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2325DS-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2325DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:530mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3437DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.2W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@50V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:750mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7117DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7117DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€12.5W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P-Channel

    导通电阻:1.2Ω

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7439DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:135nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:P-Channel

    导通电阻:90mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
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