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    类型: P沟道
    漏源电压: 8V
    阈值电压: 1.1V@250µA
    当前匹配商品:70+
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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

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    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

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    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

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    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

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    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

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    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

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    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    栅极电荷:8.4nC@4.5V

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    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

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    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203WT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203WT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

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    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD23203W 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD23203W

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:914pF@4V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.4mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1011UCB9-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1011UCB9-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:10.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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