采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
功率：760mW
输入电容：371.3pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.2nC@10V
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
连续漏极电流：3.8A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：90mΩ
功率：1.36W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
功率：750mW
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：254pF@25V
类型：P沟道
栅极电荷：3.1nC@4.5V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
功率：760mW
输入电容：371.3pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.2nC@10V
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
功率：750mW
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
功率：760mW
输入电容：371.3pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：8.2nC@10V
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
类型：P沟道
连续漏极电流：2.5A
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：254pF@25V
类型：P沟道
栅极电荷：3.1nC@4.5V
连续漏极电流：2.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：254pF@25V
类型：P沟道
栅极电荷：3.1nC@4.5V
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
类型：P沟道
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：380pF@15V
功率：750mW
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
栅极电荷：13nC@10V
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
类型：P沟道
连续漏极电流：2.5A
输入电容：480pF@5V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.8A
导通电阻：90mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG2307L-7
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：371.3pF@15V
连续漏极电流：3.8A
类型：P-Channel
导通电阻：90mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2307BDS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3455T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：480pF@5V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3125L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：650mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：254pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
