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    类型: P沟道
    连续漏极电流: 60A
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR165DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR165DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4930pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:625nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14300pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7111EDN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7111EDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:46nC@2.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5860pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.55mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8650pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:625nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR167DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR167DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:625nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7141DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7141DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14300pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.9mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:413nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15660pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS67DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS67DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:65.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:111nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4380pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6018LPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6018LPSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€113W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3505pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7135DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7135DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:250nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8650pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7157DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7157DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:625nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:22000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7145DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7145DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:413nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15660pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7633DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7633DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9500pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7137DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7137DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:585nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20000pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.95mΩ@25A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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