首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    类型
    连续漏极电流
    18A
    包装方式
    行业应用
    漏源电压
    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 18A
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    阈值电压:1.2V@250µA

    输入电容:5590pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    栅极电荷:181nC@10V

    类型:P沟道

    功率:52W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    功率:52W

    类型:P-Channel

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4280pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    阈值电压:1.2V@250µA

    输入电容:5590pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    栅极电荷:181nC@10V

    类型:P沟道

    功率:52W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    类型:P沟道

    栅极电荷:93nC@10V

    功率:52W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    功率:3.7W€39.1W

    栅极电荷:168nC@8V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:P-Channel

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5875pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    阈值电压:1.2V@250µA

    输入电容:5590pF@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    栅极电荷:181nC@10V

    类型:P沟道

    功率:52W

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:P沟道

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    输入电容:4280pF@15V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    功率:3.7W€39.1W

    栅极电荷:168nC@8V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    输入电容:5875pF@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS407ADN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS407ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5875pF@10V

    连续漏极电流:16.7A

    类型:P-Channel

    导通电阻:9mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订15000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z30PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z30PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    类型:P-Channel

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7153DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7153DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:93nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS447DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS447DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:181nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5590pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:7.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z30PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z30PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z30PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS413DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS413DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:9.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧