采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0604N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@20V
连续漏极电流：430mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP3203N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：650mA
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2104N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035UFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@10V
连续漏极电流：6.6A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
