品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:910pF@24V
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:2.4W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
输入电容:502pF@30V
功率:1.8W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
输入电容:869pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2223
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
漏源电压:60V
栅极电荷:22.4nC@10V
输入电容:1287pF@25V
类型:2N-Channel
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
输入电容:869pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
功率:1.3W
输入电容:1287pF@25V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC89521L
输入电容:1635pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.2A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W€16W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
输入电容:588pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@12A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
输入电容:5245pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
输入电容:869pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
输入电容:869pF@30V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:8.8A
漏源电压:60V
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":750}
规格型号(MPN):FDMD8260L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
输入电容:1407pF@40V
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
连续漏极电流:3.4A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
输入电容:1287pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
功率:1.3W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
输入电容:588pF@30V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:80mΩ@12A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:1.2W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:10.3nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
类型:N-Channel
漏源电压:60V
输入电容:502pF@30V
功率:1.8W
连续漏极电流:4.4A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: