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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6420C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6420C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:324pF@10V

    连续漏极电流:3A€2.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:70mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6321C 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6321C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:500mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:450mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D0UVT-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D0UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26.2pF@10V

    连续漏极电流:400mA€3.2A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC25D1UVT-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC25D1UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.6pF@10V

    连续漏极电流:500mA€3.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@400mA,4.5V

    漏源电压:25V€12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3585CDV-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3585CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€1.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:3.9A€2.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:58mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3590DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3590DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.5A€1.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:77mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1018UPD-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1018UPD-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1018UPD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@6V

    连续漏极电流:9.5A€6.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V

    漏源电压:12V€20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-BE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:290mW€340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V€43pF@10V

    连续漏极电流:700mA€700mA€400mA€500mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8842CZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG8842CZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG8842CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@10V

    连续漏极电流:750mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V

    漏源电压:30V€25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6562CDQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6562CDQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@10V

    连续漏极电流:6.7A€6.1A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:22mΩ@5.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4167CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6322C 起订4951个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6322C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.5pF@10V

    连续漏极电流:220mA€410mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:4Ω@220mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6327C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6327C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:325pF@10V

    连续漏极电流:2.7A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:80mΩ@2.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1015UPD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC1015UPD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC1015UPD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1495pF@6V

    连续漏极电流:9.5A€6.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@11.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2020USD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2020USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1149pF@10V

    连续漏极电流:7.8A€6.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6601LVT-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6601LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:422pF@15V

    连续漏极电流:3.8A€2.5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订8个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6332C 起订8个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6332C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:113pF@10V

    连续漏极电流:700mA€600mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5513CDC-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5513CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:285pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.7A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订20个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4105CT1G 起订20个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4105CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@20V

    连续漏极电流:630mA€775mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:375mΩ@630mA,4.5V

    漏源电压:20V€8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1553CDL-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1553CDL-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:38pF@10V

    连续漏极电流:700mA€500mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:390mΩ@700mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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