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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: 2个P沟道(双)
    当前匹配商品:3400+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4047SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4047SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1154pF@20V

    连续漏极电流:5.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9351TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.4V@10µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@25V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:170mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6913DQ-T1-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6913DQ-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:900mV@400µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@5.8A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA3023PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA3023PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:530pF@15V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA931DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA931DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:445pF@15V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A16DN8TA 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A16DN8TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1021pF@30V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1025X-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1025X-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1025X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD4152PT2G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJD4152PT2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:272mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:155pF@20V

    连续漏极电流:880mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:260mΩ@880mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDG6306P 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDG6306P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:114pF@10V

    连续漏极电流:600mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:420mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7997DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7997DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6200pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD75301W1015 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD75301W1015

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5935CDC-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5935CDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS903DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS903DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€23W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2565pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:20.1mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG9933USD-13 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG9933USD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.15W

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608.4pF@6V

    连续漏极电流:4.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:75mΩ@4.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923EDJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJS6809_S1_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJS6809_S1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:396pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:115mΩ@2.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCM2301-TP 起订3000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCM2301-TP 起订3000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCM2301-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@6V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@1.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA1025P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA1025P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@3.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT670UPE,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT670UPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:87pF@10V

    连续漏极电流:550mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:850mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB70XPE,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB70XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:515mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:79mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1965DH-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1965DH-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@6V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:390mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SSD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SSD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1293pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:55mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC6310P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC6310P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:337pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:125mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA921EDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA921EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:59mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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