采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23280F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@6V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23285F5T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@6V
连续漏极电流：5.4A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23280F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@6V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UCE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA€550mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UCE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA€550mA
类型：N和P沟道
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23280F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@6V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23280F3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：1.23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@6V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2300UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：64.3pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23280F3
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@6V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：116mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT290UNE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：83pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：380mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
