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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：03+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：03+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：03+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.959nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.96nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：198pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：205mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
